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Infineon Technologies IDH08G120C5XKSA1
| Artikelnummer: | IDH08G120C5XKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-1 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 500+ | $3.9638 |
| 1000+ | $3.444 |
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Infineon Technologies IDH08G120C5XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IDH08G120C5XKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.95 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-1 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie CoolSiC™+ Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 40 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 365pF @ 1V, 1MHz Grundproduktnummer IDH08G120 IDH08G120C5XKSA1 Einzelheiten PDF [English] IDH08G120C5XKSA1 PDF - EN.pdf -
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